2025年半导体物理与器件制造国际会议（ICSPDM 2025）
【评职称|毕业|高录用|快见刊】2025年半导体物理与器件制造国际会议（ICSPDM 2025）
2025 International Conference on Semiconductor Physics and Device Manufacturing（ICSPDM 2025）
会议地点：海口，中国
截稿时间：2025年5月20日（延期投稿者/咨询相关会议 请联系大会老师）
网址：www.global-meetings.com/icspdm
邮箱：conference666@163.com（投稿主题请注明：ICSPDM 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐，否则无法确认您的稿件）
接受/拒稿通知：投稿后3-5天内！
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2025半导体物理与器件制造国际会议（ICSPDM 2025）将在中国海口召开。会议致力于为研究人员、科学家、工程师和学者提供交流的机会，分享他们在“半导体物理”、“器件制造”领域的经验和创新研究。此外，本次会议还将是一个讨论实际问题、遇到的挑战以及采用的解决方案的平台。很高兴邀请来自世界各地的作者和学者参加这次会议，并分享他们的创新研究进展。我们相信，这次会议将是一个了不起的平台，可以增进我们的知识，创造新的想法，帮助促进联合学术研究的进步和变化。最后，我们祝愿您们一切顺利，愿您们有一个难忘的会议。
●论文收录
向ICSPDM 2025提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。ICSPDM 2025所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。
●征文主题
（以下主题包括但不限于）
主题一：半导体物理
半导体自旋物理与拓扑现象
半导体纳米与器件
宽/窄的带隙半导体
化合物半导体
磁性半导体
有机半导体
光电和光伏器件
半导体物理学
半导体量子计算
微波光子器件物理
半导体材料与器件可靠性
半导体制造与应用
新兴半导体技术
先进光刻胶
主题二：器件制造
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
●提交论文
1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。
投稿主题请注明：ICSPDM 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）
2. 审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。
●投稿说明
1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务，请联系会议组墨老师。
2.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck, Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
3.文章至少6页。请根据格式模板文件编辑您的文章。学生作者或多篇投稿有优惠。
4.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
5.投稿主题请注明:ICSPDM 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）
●联系方式
会议官网：www.global-meetings.com/icspdm
邮箱：conference666@163.com（备注墨老师推荐享优先审稿和投稿优惠）
投稿主题请注明:ICSPDM 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）
QQ咨询：2580953988
（您将在第一时间得到回复，添加时请备注“ICSPDM 2025”）
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